薄膜電阻生產(chǎn)工藝流程中的陰版刻蝕法與光刻機(jī)套刻電阻有什么不同

來源：萬利隆電子閱讀量：2000發(fā)布時(shí)間：2019-04-16

薄膜電阻是一種比較常見的電阻器，通常薄膜電阻器的制造方法，通常包括絕緣基板，以非光刻法在絕緣基板上形成一導(dǎo)體圖案層，在導(dǎo)體圖案層與絕緣基板上形成一薄膜電阻層；以光刻法將薄膜電阻層圖案化。這種薄膜電阻制造方法制造薄膜電阻器，可以降低薄膜電阻器的制造成本，但目前很多薄膜電阻選擇陰版刻蝕法，這種薄膜電阻制造法越來越流行。

薄膜電阻制作常使用“陰版刻蝕法”，其制作過程先進(jìn)行第一次光刻和腐蝕，得到電極和電阻整體圖形，再用套刻電阻掩膜版作選擇性掩膜進(jìn)行光刻和腐蝕，得到電阻圖形。這種方法的最大問題是套準(zhǔn)窗口窄。由于“對準(zhǔn)標(biāo)記”局限于特定結(jié)構(gòu)通常是陶瓷片的邊緣部分，它不能在任何地方都成為套準(zhǔn)的保證。套準(zhǔn)會受到鏡頭失常、陶瓷片夾緊不正常、掩膜版圖案錯(cuò)位以及陶瓷片自身扭曲的影響。

因此陰版刻蝕法制造薄膜電阻，一般先將套刻掩膜版與上一層微結(jié)構(gòu)圖形這兩者上的“對準(zhǔn)標(biāo)記”對準(zhǔn)，進(jìn)而觀察兩者上的圖形是否套準(zhǔn)，如發(fā)生錯(cuò)位，進(jìn)行微調(diào)處理，待圖形完全套準(zhǔn)后再進(jìn)行曝光等后序工作。該方法套刻電阻時(shí)使用的掩膜版為陰版，即掩膜版上的大部分是遮光區(qū)，只有一小部分是透明。掩膜版上大面積的遮光區(qū)使得微結(jié)構(gòu)圖形的邊界不夠清晰，圖形套準(zhǔn)操作相對較難，易發(fā)生圖形套刻錯(cuò)位，套準(zhǔn)時(shí)間也相應(yīng)較長。

使用普通的接觸或接近式光刻機(jī)套刻電阻時(shí)，一旦發(fā)生圖形未套準(zhǔn)將引起連鎖反應(yīng)，進(jìn)而導(dǎo)致電阻圖形腐蝕錯(cuò)位，輕者會使得電阻阻值發(fā)生較大偏移，重者導(dǎo)致微波電路圖形被破壞，直接影響產(chǎn)品的成品率。所以，一般情況下在鏡檢時(shí)發(fā)現(xiàn)套刻錯(cuò)位時(shí)采取及時(shí)返工，但這樣做既費(fèi)工又廢料，生產(chǎn)效率不高。

由上可見，薄膜電阻生產(chǎn)方法非常重要，如果采用不正確的生產(chǎn)方法得到的薄膜電阻無論是在精度還是在生產(chǎn)成本上都有很大區(qū)別。正確的方法可以高效的得到薄膜電阻，此外薄膜電阻制作是混合微波集成電路工藝生產(chǎn)中的重要一環(huán)，其制備方法的優(yōu)劣，很大程度上決定了微波集成電路的生產(chǎn)效率和成品率。

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