電流檢測(cè)電阻為什么經(jīng)常放置在降壓調(diào)節(jié)器低端與高端上？

來(lái)源：萬(wàn)利隆電子閱讀量：2000發(fā)布時(shí)間：2019-05-09

電流檢測(cè)電阻在多相電源設(shè)計(jì)中，利用它能實(shí)現(xiàn)精確均流。對(duì)于輕負(fù)載電源設(shè)計(jì)，它可以防止電流反向流動(dòng)，從而提高效率。當(dāng)多相應(yīng)用的負(fù)載較小時(shí)，電流檢測(cè)可用來(lái)減少所需的相數(shù)，從而提高電路效率。對(duì)于需要電流源的負(fù)載，電流檢測(cè)可將電源轉(zhuǎn)換為恒流源，以用于LED驅(qū)動(dòng)、電池充電和驅(qū)動(dòng)激光等應(yīng)用，那么電路檢測(cè)電阻應(yīng)該如何進(jìn)行放在呢？

由于電流檢測(cè)電阻的位置連同開關(guān)穩(wěn)壓器架構(gòu)決定了要檢測(cè)的電流，檢測(cè)的電流包括峰值電感電流、谷值電感電流（連續(xù)導(dǎo)通模式下電感電流的最小值）和平均輸出流。檢測(cè)電阻的位置會(huì)影響功率損耗、噪聲計(jì)算以及檢測(cè)電阻監(jiān)控電路看到的共模電壓。

首先，電流檢測(cè)電阻放置在降壓調(diào)節(jié)器低端，檢測(cè)電阻位于底部MOSFET下方。在這種配置中，它檢測(cè)谷值模式電流。為了進(jìn)一步降低功率損耗并節(jié)省元件成本，底部FET RDS(ON)可用來(lái)檢測(cè)電流，而不必使用外部電流檢測(cè)電阻。

這種配置通常用于谷值模式控制的電源。它對(duì)噪聲可能也很敏感，但在這種情況下，它在占空比較大時(shí)很敏感。谷值模式控制的降壓轉(zhuǎn)換器支持高降壓比，但由于其開關(guān)導(dǎo)通時(shí)間是固定/ 受控的，故最大占空比有限。

其次，電流檢測(cè)電阻放置在降壓調(diào)節(jié)器高端，對(duì)于降壓調(diào)節(jié)器，電流檢測(cè)電阻有多個(gè)位置可以放置。當(dāng)放置在頂部MOSFET的高端時(shí)，它會(huì)在頂部MOSFET 導(dǎo)通時(shí)檢測(cè)峰值電感電流，從而可用于峰值電流模式控制電源。但是，當(dāng)頂部MOSFET關(guān)斷且底部MOSFET導(dǎo)通時(shí)，它不測(cè)量電感電流。

在這種配置中，電流檢測(cè)可能有很高的噪聲，原因是頂部 MOSFET的導(dǎo)通邊沿具有很強(qiáng)的開關(guān)電壓振蕩。為使這種影響最小，需要一個(gè)較長(zhǎng)的電流比較器消隱時(shí)間。這會(huì)限制最小開關(guān)導(dǎo)通時(shí)間，并且可能限制最小占空比（占空比 = VOUT/VIN）和最大轉(zhuǎn)換器降壓比。注意在高端配置中，電流信號(hào)可能位于非常大的共模電壓(VIN)之上。

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