氧化鉻薄膜電阻器有哪些特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)
來(lái)源：萬(wàn)利隆電子 閱讀量：2000發(fā)布時(shí)間：2019-12-23
電阻器生產(chǎn)所使用的采樣日新月異，許多電阻材料不斷進(jìn)行更新和研發(fā)。目前氧化鉻的復(fù)合物制作出具有高阻值的，小巧緊湊的氧化鉻薄膜電阻器。氧化鉻薄膜電阻器使用一種叫做霧化噴射沉積的技術(shù)制作氧化鉻薄層電阻。通過(guò)控制薄層中氧原子的成分濃度，研究人員能夠調(diào)節(jié)氧化鉻薄層的電阻：氧原子的成分越多， 電阻阻值就越高。
氧化鉻薄膜電阻材料的使用對(duì)許多電阻器來(lái)說(shuō)具有非常重要的研究?jī)r(jià)值，研究人員將電阻冷卻到4.2開(kāi)爾文，并測(cè)量了一系列氧鉻質(zhì)量比的電阻率。研究人員檢測(cè)到的導(dǎo)電性較差的材料，如氧化鉻薄膜，通常在低溫下具有較高的電阻，而在QPS器件中使用的任何電阻器都必須在足夠冷的溫度下工作，量子效應(yīng)將支配經(jīng)典效應(yīng)。對(duì)于含氧量最高的電阻器，研究人員測(cè)量了一個(gè)足夠高的電阻，以滿足大多數(shù)QPS電路的要求。
研究人員通過(guò)一個(gè)氧化鉻薄膜在與鈮硅的界面處的接觸電阻。用鈮硅納米線制作QPS電路將是測(cè)量放大器新量子標(biāo)準(zhǔn)的一種方法。電阻器研究小組發(fā)現(xiàn)，在氧化鉻和鈮硅之間形成一個(gè)金中間層降低了接觸電阻，這是一個(gè)有利的結(jié)果。團(tuán)隊(duì)下一步計(jì)劃將他們的新電阻集成到QPS設(shè)備中，新的電阻技術(shù)帶來(lái)了新的領(lǐng)域和量子器件的巨大效益。
氧化鉻薄膜電阻器薄層材料，在低溫時(shí)一般都有較高的阻值，而QPS電路所要求的電阻器是在低溫下能夠正常工作的電阻，因?yàn)橹挥挟?dāng)溫度足夠低的時(shí)候，量子效應(yīng)才會(huì)超越經(jīng)典效應(yīng)成為主導(dǎo)。 對(duì)于氧原子成分含量最高的電阻器， 研究者們也測(cè)量到了能夠兼容絕大多數(shù)QPS電路需求的高電阻值。
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