OCP電路性能對寄生電感和電流檢測電阻有什么要求
來源：萬利隆電子 人氣：發(fā)布時間：2019-11-25
電流檢測電阻在各種電路中普遍使用，電流檢測電阻在OCP電路設(shè)計具有更高開關(guān)頻率的smp的關(guān)鍵優(yōu)點是減小了無源器件的尺寸，從而增加了總功率密度。OCP電路設(shè)計一個缺點是，這種增加的功率密度倍增的潛在損害，在一個過流事件的事件。對電流檢測電阻來說，過流事件是一個始終存在的風(fēng)險。在其他問題中，由于源pc板跟蹤的外部寄生電感，過電流尖峰可能導(dǎo)致假觸發(fā)。
雖然快速過流保護(hù)(OCP)是重要的電流檢測電阻使用傳統(tǒng)的mosfet，它甚至更重要的eGaN HEMTs，因為對于相同的阻塞電壓和通態(tài)電阻，在過電流事件中更難散熱。當(dāng)電流檢測電阻在線性區(qū)域內(nèi)工作時，必須檢測到過流，否則設(shè)備會迅速進(jìn)入飽和狀態(tài)，造成過度的功耗和損傷。
OCP的傳統(tǒng)方法是使用電流感知變壓器、并聯(lián)電阻，如萬利隆電子的MMS8420、MMS5930或去飽和檢測電路。不過這可能會通過增加功率環(huán)中的寄生電感和電阻而對系統(tǒng)性能產(chǎn)生負(fù)面影響，而這反過來又需要降低轉(zhuǎn)換速率，從而增加功率損耗。此外，傳感器變壓器或并聯(lián)電阻等分立器件增加了成本，占用了板的面積。
OCP的另一種方法是使用電流傳感元件、電平移位器和電流檢測電阻來檢測GaN場效應(yīng)晶體管的漏源極電壓(VDS)。該方法的優(yōu)點是不產(chǎn)生影響電路性能的寄生電感和電阻，但由于GaN的溫度系數(shù)較大，其精度不高。目前這種設(shè)計方案并沒有得到廣大工程師的認(rèn)可，許多工程師也進(jìn)行積極的方案開發(fā)，尤其是如何提高OCP電路性能對寄生電感和電流檢測電阻使用方面。
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