薄膜電阻典型特點(diǎn)精度高和低TCR，以及薄膜電阻整體穩(wěn)定性好

來(lái)源：萬(wàn)利隆電子人氣：發(fā)布時(shí)間：2020-05-22

不同于厚膜電阻，薄膜電阻特點(diǎn)是添加高溫制造工藝，薄膜電阻通常是使用減法，濺射沉積工藝制造。后續(xù)的制造操作用于調(diào)節(jié)電阻膜以優(yōu)化高溫性能。薄膜電阻的典型特點(diǎn)是TCR低，精度高，通?？捎糜诰W(wǎng)絡(luò)或多個(gè)電阻的封裝中。選擇的薄膜電阻材料通常是鎳鉻合金或氮化鉭。這兩種材料都能耐受高熔點(diǎn)，這往往會(huì)導(dǎo)致在高溫下更少的微觀晶粒生長(zhǎng)，并具有很高的抗氧化能力——這是在高溫下顯著的電阻變化的兩個(gè)潛在來(lái)源。

這兩種電阻膜在正常工作溫度下都具有良好的電阻穩(wěn)定性和極低的TCR，在高溫下也有一定程度的延續(xù)。此外，它們?cè)谳^寬的溫度范圍內(nèi)都具有相對(duì)線性的TCR曲線。盡管所示數(shù)據(jù)是針對(duì)鎳鉻合金金屬薄膜電阻，但氮化鉭材料也具有類似的特性。該圖還說(shuō)明了一個(gè)額外的優(yōu)點(diǎn)，它演示了公共網(wǎng)絡(luò)(在本例中為7電阻網(wǎng)絡(luò))中電阻之間的緊密TCR跟蹤或匹配。

在高溫下，顯示了DIP網(wǎng)絡(luò)中薄膜電阻的TCR。薄膜電阻的一個(gè)有趣的方面是，在工作的前100到200小時(shí)內(nèi)，總電阻發(fā)生了很大的變化(圖5)。各種機(jī)制，如氧化，金屬層的遷移，或金屬擴(kuò)散，都可以導(dǎo)致這種電阻的變化。在高溫下，薄膜電阻隨時(shí)間的變化表明，在前100到200小時(shí)的操作過(guò)程中，總電阻發(fā)生了顯著的變化。

然而，薄膜電阻的變化率會(huì)隨著時(shí)間的推移而顯著降低，這使得電阻在使用過(guò)程中的絕對(duì)變化率顯著降低，方法是將電阻置于高溫烘烤環(huán)境中，或者超過(guò)使用電阻的溫度。電阻變化的減少顯示了相似的電阻，但是增加了200°C, 148小時(shí)烘烤。在這種情況下，薄膜電阻的變化已經(jīng)減少到超過(guò)1000小時(shí)接觸不到一半，大大提高了電阻的整體穩(wěn)定性。

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