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                                    MICROHM恭賀大家2025年蛇年大吉!
        
                                
        
                                    
        
                                        MICROHM恭賀大家2025年蛇年大吉!
        
                                     
        
                                         值此新春佳節(jié)來(lái)臨之際，MICROHM在此感謝每一位客戶的支持，信任與理解！期待未來(lái)與您們更加緊密地合作，攜手共創(chuàng)事業(yè)新天地！也恭祝大家蛇年新禧，祥福并濟(jì)，喜氣運(yùn)氣，綿綿不息，諸事順利，財(cái)運(yùn)亨通，平安吉祥！ ...
                                    
        
                                    發(fā)布時(shí)間：2025-01-24      [查看詳情+]
                                    
        
                            
        

        
                                
        
                                    MICROHM訪問(wèn)日本東京工業(yè)大學(xué)
        
                                
        
                                    
        
                                        MICROHM訪問(wèn)日本東京工業(yè)大學(xué)
        
                                     
        
                                         2019年7月9日，MICROHM與香港深圳聯(lián)合科技考察團(tuán)一同訪問(wèn)位于東京都的東京工業(yè)大學(xué)，東京工業(yè)大學(xué)（Tokyo Institute of Technology）是一所頂尖的國(guó)立科技大學(xué)，有著130多年的歷史。在Ookayama, Suzukakedai和Tamachi校區(qū)的大約10,000名學(xué)生中。 東京工業(yè)大學(xué)（Tokyo Institute of Technology）在日本理工科大學(xué)之最。校區(qū)位于東京都目黑區(qū)與橫浜市綠區(qū)，東京工業(yè)大學(xué)在工程技術(shù)與自然科學(xué)上是日本頂尖、世界一流的理工科...
                                    
        
                                    發(fā)布時(shí)間：2019-07-10      [查看詳情+]
                                    
        
                            
        


                    
        
                                
        
                                    插件電阻和MOS晶體管有非常重要的設(shè)計(jì)意義
        
                                
        
                                    
        
                                        
                                            插件電阻和MOS晶體管有非常重要的設(shè)計(jì)意義
        
                                     
        
                                         插件電阻和MOS晶體管經(jīng)常應(yīng)用于各種電路設(shè)計(jì)，目前基于設(shè)計(jì)電荷表的EKV MOS晶體管模型的發(fā)展大大改善了這種情況。與基于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓的BSIM模型不同，EKV模型定義MOS器件的參數(shù)依賴(lài)于反轉(zhuǎn)能級(jí)的連續(xù)范圍。EKV模型還引入了所謂的gm/ID設(shè)計(jì)方法，這種方法可以實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單而準(zhǔn)確的手工計(jì)算，直接的晶體管尺寸和完全獨(dú)立的技術(shù)。在電路中，定義了反轉(zhuǎn)能級(jí)，也稱(chēng)為MOS結(jié)構(gòu)的反轉(zhuǎn)系數(shù)(IC)。 插件電阻和...
                                    
        
                                    發(fā)布時(shí)間：2021-04-02      [查看詳情+]
                                    
        
                            
        
                                
        
                                    貼片電阻采用新技術(shù)設(shè)計(jì)對(duì)于電阻小型化發(fā)展非常重要
        
                                
        
                                    
        
                                        
                                            貼片電阻采用新技術(shù)設(shè)計(jì)對(duì)于電阻小型化發(fā)展非常重要
        
                                     
        
                                         貼片電阻是集成電路設(shè)計(jì)重要電子元器件，目前集成電路采用新工藝進(jìn)行生產(chǎn)，從集成電路設(shè)計(jì)的角度來(lái)看，降低VDD值造成的主要問(wèn)題之一是降低了現(xiàn)有和標(biāo)準(zhǔn)電路拓?fù)涞挠杏秒妷悍秶?。模擬電路主要受到這種限制缺陷的影響。降低閾值電壓，以及MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管柵氧化層變薄，會(huì)導(dǎo)致亞閾值漏電流急劇上升，這在納米技術(shù)中是相當(dāng)?shù)湫偷?。這些原因限制了閾值電壓的進(jìn)一步降低。設(shè)備和...
                                    
        
                                    發(fā)布時(shí)間：2021-04-02      [查看詳情+]
                                    
        
                            
        
                                
        
                                    電阻器采用新興的納米級(jí)技術(shù)生產(chǎn)有哪些優(yōu)點(diǎn)
        
                                
        
                                    
        
                                        
                                            電阻器采用新興的納米級(jí)技術(shù)生產(chǎn)有哪些優(yōu)點(diǎn)
        
                                     
        
                                         電阻器生產(chǎn)一般都會(huì)采用最新工藝，目前很多電阻器都采用納米技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)，對(duì)納米級(jí)技術(shù)中有效適用于超低電壓和低功耗模擬集成電路的主要挑戰(zhàn)和設(shè)計(jì)技術(shù)進(jìn)行概述。新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)和限制與電源電壓的低值，過(guò)程波動(dòng)，設(shè)備失配，和其他影響被討論。在本章的后半部分，將介紹針對(duì)超低電壓系統(tǒng)和應(yīng)用設(shè)計(jì)模擬集成電路的常規(guī)和非常規(guī)設(shè)計(jì)技術(shù)(體積驅(qū)動(dòng)方法、浮柵、動(dòng)態(tài)閾值等)。在標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)...
                                    
        
                                    發(fā)布時(shí)間：2021-04-01      [查看詳情+]
                                    
        
                            
        
                                
        
                                    厚膜電阻使用片狀電阻的中等值組成的電阻
        
                                
        
                                    
        
                                        
                                            厚膜電阻使用片狀電阻的中等值組成的電阻
        
                                     
        
                                         可變電阻的變化部分是由于電阻幾何形狀的變化，機(jī)械應(yīng)變引起厚膜電阻的可逆電阻變化，但主要是由于微觀結(jié)構(gòu)的變化。根據(jù)三維平面隨機(jī)電阻網(wǎng)絡(luò)模型，厚膜電阻材料中的電荷傳輸是通過(guò)將金屬氧化物顆粒，通常是RuO2和Bi2Ru2O7的組合浸入玻璃基體燒結(jié)而形成的復(fù)雜導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行的。在燒結(jié)過(guò)程中，大量的導(dǎo)電鏈正在形成。這些鏈由微粒團(tuán)簇接觸的微粒和被薄玻璃屏障，金屬-絕緣體-金屬或金屬浸印...
                                    
        
                                    發(fā)布時(shí)間：2021-04-01      [查看詳情+]
                                    
        
                            
        
                                
        
                                    精密玻璃電阻變化是由微觀結(jié)構(gòu)級(jí)別的變化引起
        
                                
        
                                    
        
                                        
                                            精密玻璃電阻變化是由微觀結(jié)構(gòu)級(jí)別的變化引起
        
                                     
        
                                         精密玻璃電阻是一種比較常用的電阻，在很多機(jī)械設(shè)備上都可以到精密玻璃電阻的使用，在PCB電路上通常有非常多的類(lèi)型電子元器件，其中精密玻璃電阻的使用是非常普遍的現(xiàn)象，這主要是因?yàn)榫懿Ａщ娮栌泻芏鄡?yōu)勢(shì)和特點(diǎn)，因此很多電路工程師在進(jìn)行設(shè)計(jì)電路的時(shí)候，通常會(huì)優(yōu)先考慮將精密玻璃電阻納入電阻選型中。目前市場(chǎng)上有很多精密玻璃電阻，這些電阻器有很多不同品牌的廠家進(jìn)行生產(chǎn)，但...
                                    
        
                                    發(fā)布時(shí)間：2021-04-01      [查看詳情+]
                                    
        
                            
        
                                
        
                                    厚膜電阻應(yīng)用低頻噪聲測(cè)量包括哪些方面
        
                                
        
                                    
        
                                        
                                            厚膜電阻應(yīng)用低頻噪聲測(cè)量包括哪些方面
        
                                     
        
                                         厚膜電阻在高壓脈沖應(yīng)力前后歸一化噪聲幅值B0/I2。與擬合參數(shù)B0相反，歸一化后的噪聲振幅無(wú)量綱化。出的數(shù)據(jù)類(lèi)似，1/f噪聲在應(yīng)用高壓處理時(shí)增加了大約一個(gè)數(shù)量級(jí)。在進(jìn)行擬合程序后，厚膜電阻在金屬涂膜單元的絕緣層中存在陷阱引起的波動(dòng)所引起的洛倫茲項(xiàng)可以觀察到電流噪聲譜的輕微彎曲。盡管被1/f噪聲掩蓋，洛倫茲項(xiàng)影響了測(cè)量值和理論關(guān)系的一致性。高壓脈沖應(yīng)力前后的電流噪聲譜分析...
                                    
        
                                    發(fā)布時(shí)間：2021-03-31      [查看詳情+]
                                    
        
                            
        
                                
        
                                    貼片電阻應(yīng)用當(dāng)宏觀結(jié)構(gòu)發(fā)生變化時(shí)會(huì)出現(xiàn)哪些問(wèn)題
        
                                
        
                                    
        
                                        
                                            貼片電阻應(yīng)用當(dāng)宏觀結(jié)構(gòu)發(fā)生變化時(shí)會(huì)出現(xiàn)哪些問(wèn)題
        
                                     
        
                                         貼片電阻應(yīng)用當(dāng)宏觀結(jié)構(gòu)發(fā)生變化時(shí)，當(dāng)脈沖電壓達(dá)到臨界點(diǎn)時(shí)，測(cè)量的電阻大幅增加。高壓處理導(dǎo)致燃燒和蒸發(fā)的電阻層，從而減少其體積，并導(dǎo)致顯著的電阻增加，類(lèi)似于在電阻的組成與貼片電阻。自從低頻率噪聲應(yīng)承擔(dān)的厚膜電阻應(yīng)承擔(dān)的電荷傳輸?shù)慕Y(jié)果波動(dòng),噪聲指數(shù)與電阻的值在協(xié)議的行為。由于貼片電阻高壓治療,傳導(dǎo)正在調(diào)制電荷陷阱捕捉到不直接參與導(dǎo)電,從而改變MIM單位的潛在障礙的高...
                                    
        
                                    發(fā)布時(shí)間：2021-03-31      [查看詳情+]
                                    
        
                            
        
                                
        
                                    什么是低歐姆厚膜浪涌電阻的特性
        
                                
        
                                    
        
                                        
                                            什么是低歐姆厚膜浪涌電阻的特性
        
                                     
        
                                         厚膜電阻器應(yīng)用的不同條件，導(dǎo)致需要研究其在壓力下的行為，也引起了對(duì)高電壓脈沖應(yīng)力的重視。大部分可用的數(shù)據(jù)是通過(guò)高壓脈沖能量來(lái)處理厚電阻膜的微調(diào)，這是一種基于內(nèi)部放電的微調(diào)方法，使用厚膜電阻端作為電極，將高電壓能量施加到電阻體上。此外，作為通信系統(tǒng)保護(hù)的低歐姆厚膜浪涌電阻的特性。然而，高壓脈沖應(yīng)力對(duì)傳統(tǒng)厚膜電阻結(jié)構(gòu)和噪聲性能的影響卻很少被關(guān)注。 高壓脈沖對(duì)...
                                    
        
                                    發(fā)布時(shí)間：2021-03-31      [查看詳情+]
                                    
        
                            
        
                    
        
                    
        
                    
        
                        
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